MagneticRandomAccessMemory.플래시메모리의비휘발성과S램의고속정보처리기능,D램과같은고집적화를동시에실현할수있는차세대통합형비휘발성메모리다.
현재IBM,모토로라,도시바,삼성전자등세계반도체업체들이경쟁적으로개발하고있다.
최근국내연구진이M램을만들수있는신소재개발에성공해관심을끌고있다.
김영근고려대교수연구팀은NiFeSiB(니켈철규소붕소)·CoFeSiB(코발트철규소붕소)라는합금박막이메모리를구성하는셀사이의자기저항을최소화해전력사용량을7분의1수준으로줄임으로써M램의저장성능을높인다는사실을밝혀냈다.
세계M램시장규모는2012년16조원에이를것으로전망되고있다.